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arxiv：2406.13102v1 [cond-mat.supr-con] 2024年6月18日

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测量被困的（remanent）磁矩M陷阱（H），当在超导导向过渡温度下方冷却下方的小磁场H之后，在零磁场中冷却后，在冷却后上下倾斜磁场时，将磁场上下倾斜时，在困难的小样本中提供了相关的液态，并在零磁场中提供了很大的益处。（UHTS）。直到最近，由于所涉及的物理学的简单性，对于众所周知的临界状态模型，还不需要在被困的磁通量上单独的纸张。但是，最近的出版物表明需要进行这种分析。本说明总结了具有恒定临界电流密度的Bean模型的期望，并且具有与场相关的临界电流的KIM模型。表明，如果将被困的力矩拟合到功率定律，m trap ∝hα，则固定指数α= 2对于bean模型来说是精确的，而KIM模型显示了可能值的很大的间隔，2≤α≤4。此外，考虑可逆磁化的考虑将可能的指数的范围扩展到1≤α≤4。此外，撤电因子至关重要，并且即使在各向同性材料中也使捕获的力矩方向取决于。作为一种具体的应用，可以通过这种广义方法很好地描述了在H 3 S UHTS化合物上进行的通量捕获实验，从而对II型在超高压力下H 3 s的超导性质提供了进一步的支持。

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